Транзистор 2N в Самаре
2N7002LT1 SOT23 Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 0.115 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2222 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N5830 схема MPS651 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2222 Характеристики транзистора P2N2222A Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора:...
Тип: Электронные компоненты
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N7002K 72K транзистор (5 шт.) SOT23 SMD схема, аналог LW2N7002KLT1G характеристики IRLML0100 цоколевка datasheet MOSFET 72К SOT23-3 Наименование прибора: 2N7002K Маркировка: 702_02Ku_702K_WC Тип транзистора:...
Тип: Электронные компоненты
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 7002 транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2N7002 аналог MMBT2907A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 1AM транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог FMMT2222AR схема KTN2222AS характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40...
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax -...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 2L транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5401S схема ECG288 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -150...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100...
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением....
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 G1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MMBT5551 схема KST5551 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N3904 H331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N4401 схема MPS2222AG характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N3904 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. На крышке корпуса...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ34N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1115 схема BUZ101S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ34N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N4403 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог ZTX955 схема ZTX953 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N4403 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N7000 CXE транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BS170 схема BSS138 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet N-канальный полевой транзистор 2N7000, как указано в его технических характеристиках,...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ46N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1542 схема BUZ102S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ46N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В...
В комплекте 10 штук новых транзисторов 2N2907A 331 транзистор (10 шт.) TO92 2SA708 схема 2SA709 характеристики ТО-92 цоколевка, datasheet BC527 Характеристики транзистора 2N2907A Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
2N2907A 331 транзистор (5 шт.) TO92 MPS751 схема KSA709 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2907А Характеристики транзистора 2N2907A Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более:...
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5401 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи тока - 8МГц....
Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А...
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 150...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки усилителя моно AX6 мощностью 50 - 60Вт на транзисторах 2N3773 обладающим мягким звучанием, в корпусе TO-3. На плате могут быть ошибки разводки. Сборку осуществляете...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
В комплекте 5 штук новых деталей LR024N IOR транзистор (5 шт.) TO-252 DPAK аналог 2SK2018-01S схема 2SK2231 характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET IRLR024N Характеристики транзистора IRLR024N Корпус - D-PAK Напряжение...
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Транзисторы Toshiba 2SC4252, SC70, 10шт количество в упаковке: 10 шт
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
В комплекте 2 штуки новых деталей D882 транзистор (2 шт.) SOT-89 SMD аналог BD131 схема BD185 характеристики цоколевка datasheet 2SD882 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...